Packaging:
Bulk
Series:
-
ProductStatus:
Active
FETType:
P-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
1.1A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
200mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
4.4 nC @ 5 V
Vgs(Max):
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
280 pF @ 10 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
500mW (Ta)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Surface Mount
分类:
-
- 数据表:
-
NDS356AP-NB8L005A.pdf
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客户可以选择行业领先的货运公司,包括DHL、UPS、FedEx、TNT和挂号信。还提供运输保险。
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(1)例如数量不足、交付错误的物品以及明显的外部缺陷(破损和生锈等),我们承认这些问题。
(2)我们在交付NDS356AP-NB8L005A后90天内获悉上述缺陷。
(3)型号未使用,仅在原始未包装的包装中。
退货的两个过程:
(1)在90天内通知我们
(2)获得申请退货授权
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如果您需要任何售后服务,请随时与我们联系。
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