晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频 - 欧可尔电子(深圳)有限公司

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Ampleon USA Inc. Amplifier Solutions Corp. Analog Devices Inc. Broadcom Limited CEL DNmicron Fairchild Semiconductor Freescale Semiconductor Freescale Semiconductor - NXP Harris Corporation Infineon Technologies Integra Technologies Inc. International Rectifier Intersil IXYS MACOM Technology Solutions Microchip Technology Microsemi Corporation Microwave Technology Inc. Mini-Circuits NEC Corporation Nexperia USA Inc. NTE Electronics, Inc NXP Semiconductors NXP USA Inc. onsemi Renesas Renesas Electronics America Inc Rochester Electronics, LLC Sanyo Sipex Skyworks Solutions Inc. Solid State Inc. STMicroelectronics Tagore Technology Texas Instruments Toshiba Semiconductor and Storage WAVEPIA.,Co.Ltd Wolfspeed, Inc.	Bag Box Bulk Bulk,Bulk Bulk,Tray Case Cut Tape (CT),Bulk Cut Tape (CT),Digi-Reel® Cut Tape (CT),Tape & Box (TB) Strip Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR),Bulk Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel®,Bulk Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® Tray Tray,Tray Tube Tube,Tray	* - A3I20X050GN A3I20X050N ART Automotive, AEC-Q101 BLC BLF BLL BLM BLP CLL GaN GOLDMOS® TMOS®	Active Discontinued at Mosen Last Time Buy Not For New Designs Obsolete	- 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Source 4 N-Channel D-pHEMT E-pHEMT GaAs FET GaN GaN HEMT HEMT HFET LDMOS LDMOS (Dual) LDMOS (Dual), Common Source LDMOS (Triple) MESFET MESFET Dual Gate N-Channel N-Channel Dual Gate N-Channel GaAs HJ-FET N-Channel JFET pHEMT FET	- 0Hz ~ 15GHz 0Hz ~ 1GHz 0Hz ~ 2.2GHz 0Hz ~ 2.5GHz 0Hz ~ 3.5GHz 0Hz ~ 3GHz 0Hz ~ 4GHz 0Hz ~ 6GHz 1.034GHz 1.03GHz 1.03GHz ~ 1.09GHz 1.06GHz 1.09GHz 1.215GHz 1.2GHz 1.2GHz ~ 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: PD57006-E

品牌:STMicroelectronics

封装:PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10

价格:￥0.000

库存:3,998

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数据表

: PD57006S

品牌:STMicroelectronics

封装:PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10

价格:￥0.000

库存:3,103

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数据表

: PD57018

品牌:STMicroelectronics

封装:PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10

价格:￥0.000

库存:3,519

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数据表

: PD57018S

品牌:STMicroelectronics

封装:PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10

价格:￥0.000

库存:2,289

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数据表

: PTFB241402FC-V1-R0

品牌:Wolfspeed, Inc.

封装:-

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:140W, SI LDMOS, 28V, 2300-2400MH

价格:￥623.424

库存:2,889

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: PXAC241702FC-V1-R0

品牌:Wolfspeed, Inc.

封装:H-37248-4

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:IC AMP RF LDMOS H-37248-4

价格:￥625.328

库存:3,577

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数据表

: PXAC261002FC-V1-R0

品牌:Wolfspeed, Inc.

封装:H-37248-4

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:IC AMP RF LDMOS H-37248-4

价格:￥625.328

库存:3,217

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: A3T18H360W23SR6

品牌:NXP USA Inc.

封装:ACP-1230S-4L2S

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:1.8GHZ 360W ACP1230S-4L2

价格:￥630.156

库存:3,356

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: A2G22S190-01SR3

品牌:NXP USA Inc.

封装:-

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

价格:￥634.304

库存:3,129

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数据表

: A3T21H400W23SR6

品牌:NXP USA Inc.

封装:-

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

价格:￥643.008

库存:3,577

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: CG2H80045D-GP4

品牌:Wolfspeed, Inc.

封装:Die

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:45W, GAN HEMT, 28V, DC-8.0GHZ, B

价格:￥644.096

库存:2,498

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数据表

: A2G22S251-01SR3

品牌:NXP USA Inc.

封装:NI-400S-2S

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

价格:￥646.408

库存:3,758

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数据表

: PTRA084808NF-V1-R5

品牌:Wolfspeed, Inc.

封装:HBSOF-6-2

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:RF LDMOS FET 550W, 734 - 821MHZ

价格:￥646.476

库存:3,295

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数据表

: PTAB182002FC-V1-R250

品牌:Wolfspeed, Inc.

封装:-

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:IC AMP RF LDMOS

价格:￥650.284

库存:3,202

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数据表

: A3G20S250-01SR3

品牌:NXP USA Inc.

封装:-

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

价格:￥657.220

库存:2,124

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数据表

: A3T18H400W23SR6

品牌:NXP USA Inc.

封装:ACP-1230S-4L2S

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

价格:￥657.288

库存:3,013

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