晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频 - 欧可尔电子(深圳)有限公司

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Ampleon USA Inc. Amplifier Solutions Corp. Analog Devices Inc. Broadcom Limited CEL DNmicron Fairchild Semiconductor Freescale Semiconductor Freescale Semiconductor - NXP Harris Corporation Infineon Technologies Integra Technologies Inc. International Rectifier Intersil IXYS MACOM Technology Solutions Microchip Technology Microsemi Corporation Microwave Technology Inc. Mini-Circuits NEC Corporation Nexperia USA Inc. NTE Electronics, Inc NXP Semiconductors NXP USA Inc. onsemi Renesas Renesas Electronics America Inc Rochester Electronics, LLC Sanyo Sipex Skyworks Solutions Inc. Solid State Inc. STMicroelectronics Tagore Technology Texas Instruments Toshiba Semiconductor and Storage WAVEPIA.,Co.Ltd Wolfspeed, Inc.	Bag Box Bulk Bulk,Bulk Bulk,Tray Case Cut Tape (CT),Bulk Cut Tape (CT),Digi-Reel® Cut Tape (CT),Tape & Box (TB) Strip Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR),Bulk Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel®,Bulk Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® Tray Tray,Tray Tube Tube,Tray	* - A3I20X050GN A3I20X050N ART Automotive, AEC-Q101 BLC BLF BLL BLM BLP CLL GaN GOLDMOS® TMOS®	Active Discontinued at Mosen Last Time Buy Not For New Designs Obsolete	- 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Source 4 N-Channel D-pHEMT E-pHEMT GaAs FET GaN GaN HEMT HEMT HFET LDMOS LDMOS (Dual) LDMOS (Dual), Common Source LDMOS (Triple) MESFET MESFET Dual Gate N-Channel N-Channel Dual Gate N-Channel GaAs HJ-FET N-Channel JFET pHEMT FET	- 0Hz ~ 15GHz 0Hz ~ 1GHz 0Hz ~ 2.2GHz 0Hz ~ 2.5GHz 0Hz ~ 3.5GHz 0Hz ~ 3GHz 0Hz ~ 4GHz 0Hz ~ 6GHz 1.034GHz 1.03GHz 1.03GHz ~ 1.09GHz 1.06GHz 1.09GHz 1.215GHz 1.2GHz 1.2GHz ~ 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2 V 2.5 V 2.7 V 250 V 26 V 28 V 29 V 3 V 3.2 V 3.5 V 30 V 300 mV 300 V 31 V 32 V 36 V 380 V 4 V 4.5 V 4.8 V 40 V 400 V 42 V 45 V 48 V 5 V 50 V 55 V 6 V 65 V 7.2 V 7.5 V 8 V 9 V	- 1.2µA 1.3A 1.4A 1.4µA 1.5A 1.5µA 1.7A 10.2A 10.5A 100mA 100µA 10A 10mA 10µA 110mA 11A 12.1A 120mA 12A 13A 13mA 145mA 14A 15A 15mA 16.5A 16A 170mA 17A 18.7A 18A 18mA 1A 1mA 1µA 2.1A 2.2A 2.3A 2.5A 2.5mA 2.8A 2.8µA 200µA 20A 20mA 20µA 220mA 228mA 22A 230mA 240mA 24A 250mA 250mA, 1A 25A 25mA 25mA, 20mA 25µA 26A 270mA 280mA 28A 29A 2A 2mA 2µA 3.1A 3.3µA 3.5A 3.6A 300mA 305mA 30A 30mA 32.5A 32A 330mA 33A 34A 360mA 36A 37A 39A 3A 3µA 4.2A 4.2µA 4.5A 40A 40mA 41A 42A 42mA 450mA 45mA 49A 4A 4mA 4µA 5.4A 500mA 500nA 500µA 50A 50mA 50µA 54A 55mA 56A 5A 5mA 5µA 6.3A 6.5mA 60A 60mA 64A 65A 66A 68mA 6A 6µA 7.2A 700mA 70mA 72A 7A 7mA 7µA 8.2A 8.7A 800mA 800µA 80mA 84mA 85mA 880mA 88A 88mA 8A 8mA 9.5A 900mA 90mA 950mA 97mA 98mA 9A	- 0.35dB 0.3dB 0.45dB 0.4dB 0.5dB 0.5dB @ 12GHz 0.62dB 0.65dB 0.6dB 0.75dB 0.7dB 0.81dB 0.85dB 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: A3G26D055N-2400

品牌:NXP USA Inc.

封装:6-LDFN Exposed Pad

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:RF REFERENCE CIRCUIT 28W 2400MHZ

价格:￥4590.000

库存:3,674

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: A3G26D055N-100

品牌:NXP USA Inc.

封装:6-LDFN Exposed Pad

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:RF REF CIRCUIT 25W 100-2800MHZ

价格:￥4590.000

库存:2,092

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: IGT5259CW50

品牌:Integra Technologies Inc.

封装:-

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:GAN, RF POWER TRANSISTOR, C-BAND

价格:￥5152.224

库存:2,171

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: CGH27030S-AMP1

品牌:Wolfspeed, Inc.

封装:12-VFDFN Exposed Pad

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:AMPLIFIER, 1.8-2.2GHZ, CGH27030S

价格:￥5154.196

库存:2,947

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数据表

: IGN0912LM500

品牌:Integra Technologies Inc.

封装:-

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

价格:￥5360.848

库存:3,861

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数据表

: IGN2729M400R2

品牌:Integra Technologies Inc.

封装:-

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND

价格:￥5421.912

库存:2,295

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数据表

: BLS8G2731LS-400PU

品牌:Ampleon USA Inc.

封装:SOT-539B

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B

价格:￥5614.080

库存:2,689

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数据表

: MRF6VP21KHR5

品牌:NXP USA Inc.

封装:NI-1230

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230

价格:￥6006.508

库存:2,201

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数据表

: IGN1214M300

品牌:Integra Technologies Inc.

封装:-

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

价格:￥6346.644

库存:3,891

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数据表

: MRF24G300HS-2STG

品牌:NXP USA Inc.

封装:NI-780S-4L

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:RF REFERENCE CIRCUIT 300W 2400MH

价格:￥18360.000

库存:3,984

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数据表

: MRF24G300HS-2UP

品牌:NXP USA Inc.

封装:NI-780S-4L

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:RF REFERENCE CIRCUIT 600W 2400MH

价格:￥18360.000

库存:2,459

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数据表

: BLL6H1214LS-250,11

品牌:Ampleon USA Inc.

封装:SOT-502B

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B

价格:￥1706.528

库存:3,850

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数据表

: 2SK772E

品牌:Sanyo

封装:-

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:2SK772 - N-CHANNEL JUNCTION SILI

价格:￥1.292

库存:3,086

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数据表

: ON5173118

品牌:NXP Semiconductors

封装:-

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:NEXPERIA ON5173 0, D2PAK

价格:￥4.964

库存:3,365

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数据表

: A7101CLTK2/T0BC27J

品牌:NXP Semiconductors

封装:-

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:A71CL - PLUG & TRUST, FOR IOT

价格:￥6.664

库存:3,568

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数据表

: 2SK1069-4-TL-E

品牌:Sanyo

封装:-

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:2SK1069 - N-CHANNEL JUNCTION SIL

价格:￥7.276

库存:3,744

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数据表

: MRFIC1501R2

品牌:Freescale Semiconductor

封装:-

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, 1

价格:￥10.744

库存:2,016

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数据表

: A2T27S007NT1

品牌:NXP Semiconductors

封装:16-VDFN Exposed Pad

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:A2T27S007 - 400-2700 MHZ, 28.8 D

价格:￥51.068

库存:984

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