晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频 - 欧可尔电子(深圳)有限公司

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Ampleon USA Inc. Amplifier Solutions Corp. Analog Devices Inc. Broadcom Limited CEL DNmicron Fairchild Semiconductor Freescale Semiconductor Freescale Semiconductor - NXP Harris Corporation Infineon Technologies Integra Technologies Inc. International Rectifier Intersil IXYS MACOM Technology Solutions Microchip Technology Microsemi Corporation Microwave Technology Inc. Mini-Circuits NEC Corporation Nexperia USA Inc. NTE Electronics, Inc NXP Semiconductors NXP USA Inc. onsemi Renesas Renesas Electronics America Inc Rochester Electronics, LLC Sanyo Sipex Skyworks Solutions Inc. Solid State Inc. STMicroelectronics Tagore Technology Texas Instruments Toshiba Semiconductor and Storage WAVEPIA.,Co.Ltd Wolfspeed, Inc.	Bag Box Bulk Bulk,Bulk Bulk,Tray Case Cut Tape (CT),Bulk Cut Tape (CT),Digi-Reel® Cut Tape (CT),Tape & Box (TB) Strip Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR),Bulk Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel®,Bulk Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® Tray Tray,Tray Tube Tube,Tray	* - A3I20X050GN A3I20X050N ART Automotive, AEC-Q101 BLC BLF BLL BLM BLP CLL GaN GOLDMOS® TMOS®	Active Discontinued at Mosen Last Time Buy Not For New Designs Obsolete	- 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Source 4 N-Channel D-pHEMT E-pHEMT GaAs FET GaN GaN HEMT HEMT HFET LDMOS LDMOS (Dual) LDMOS (Dual), Common Source LDMOS (Triple) MESFET MESFET Dual Gate N-Channel N-Channel Dual Gate N-Channel GaAs HJ-FET N-Channel JFET pHEMT FET	- 0Hz ~ 15GHz 0Hz ~ 1GHz 0Hz ~ 2.2GHz 0Hz ~ 2.5GHz 0Hz ~ 3.5GHz 0Hz ~ 3GHz 0Hz ~ 4GHz 0Hz ~ 6GHz 1.034GHz 1.03GHz 1.03GHz ~ 1.09GHz 1.06GHz 1.09GHz 1.215GHz 1.2GHz 1.2GHz ~ 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: IGN1011L1200

品牌:Integra Technologies Inc.

封装:PL84A1

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

价格:￥6216.152

库存:3,431

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: IGN1011L70

品牌:Integra Technologies Inc.

封装:PL32A2

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

价格:￥1509.600

库存:3,561

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数据表

: IGT8292M50

品牌:Integra Technologies Inc.

封装:-

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND

价格:￥4336.632

库存:3,003

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数据表

: IGT5259CW50

品牌:Integra Technologies Inc.

封装:-

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:GAN, RF POWER TRANSISTOR, C-BAND

价格:￥5152.224

库存:2,171

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数据表

: IGN0912LM500

品牌:Integra Technologies Inc.

封装:-

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

价格:￥5360.848

库存:3,861

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数据表

: IGN2729M400R2

品牌:Integra Technologies Inc.

封装:-

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND

价格:￥5421.912

库存:2,295

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数据表

: IGN1214M300

品牌:Integra Technologies Inc.

封装:-

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

价格:￥6346.644

库存:3,891

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数据表

: IGN1214L500B

品牌:Integra Technologies Inc.

封装:PL95A1

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

价格:￥6924.440

库存:3,639

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数据表

: IGT2731M130

品牌:Integra Technologies Inc.

封装:-

分类:晶体管-场效应晶体管，MOSFET-射频

描述:GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND

价格:￥4424.216

库存:2,954

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